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金刚石晶体膜是一种人工合成的新式功用资料,它由金刚石微晶体构成,具有高硬度、低冲突、高热导率(为铜的5倍)、低线胀系数、杰出抗热冲击功能、杰出抗腐蚀性、极高电绝缘强度、宽波段高透过率和高电子折射率等多项复合功能。
(1)热化学气相堆积(TCVD)法在高温下使含碳气相组分发生热分化即构成金刚石薄膜。这一办法在前期的制备进程中是比较成功的办法,现在选用许多的热丝法(EFCVD)以及关于堆积速率有着共同优越性的热化学焰法均属于此类。
(2)物理化学气相堆积法用物理化学办法促进CVD进程,例如等离子增强CVD(PECVD或PACVD)、微波等离子体CVD(MWCVD)、射频等离子体CVD(RFPECVD)和直流等离子体CVD(DCPECVD)及电子增强CVD(EACVD)等。
(3)物理气相堆积法即用物理办法(蒸腾、溅射、离子束等)直接从碳源获取碳原子或碳离子,将含碳气体转变为气态活性碳原子,定向堆积在物体外表并堆积生成一层细密、均匀、润滑的碳碳原子键结构的固态晶体膜。这类工艺的关键技术是运用高能离子在基材外表的微区内构成75000℃和压强12×109Pa的热尖峰,其保持的时刻为10-21s,然后促进金刚石膜的构成。堆积工艺需在高能态、高真空条件下,严控电磁场能量,准确把握含碳化合物的原资料配比和浓度,以及反响堆积速率。
用于金属、塑料、玻璃等资料外表生成金刚石膜。如半导体及半导体器材热沉电阻、电绝缘层。
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